遙遙領先希華石英晶體諧振器隱知識解析，晶振電路無信號輸出？

負電阻(-R)是評價振蕩電路好壞的標準，其值至少應為晶振電阻的5倍，以維持穩定的振蕩。因此，按照以下說明測量負電阻非常重要:

(1)將電阻(Rx)與晶體串聯

(2)從振蕩的起點到終點調整Rx的值。

(3)測量振蕩期間Rx的值。

(4)你將能夠獲得負電阻的值，|-R| = Rx + Re，Re =有效晶體電阻。

步驟1-6。如果IC的負電阻太低，無法驅動電路，我們提出三種解決方案來改善這種情況。

(1)降低限制電阻器(Rd)的值。但是，您還應該確認頻移和晶體驅動電流是否同時符合規格。

(2)降低外部電容(Cg和Cd)的值，采用負載電容(CL)較低的其他晶體。

(3)采用電阻(Rr)較低的晶體。遙遙領先希華石英晶體諧振器隱知識解析.

XTL92

1.0 x 0.8 x 0.3

37.4 - 80MHz

±20ppm

-30 ~ +85℃

XTL91

1.2 x 1.0 x 0.3

24 - 80MHz

±15ppm

-30 ~ +85℃

XTL90

1.6 x 1.2 x 0.35

24 - 80MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL90

1.6 x 1.2 x 0.35

24 - 60MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

XTL50

2.0 x 1.6 x 0.55

16 - 80MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL50

2.0 x 1.6 x 0.55

16 - 60MHz

±15ppm
±50ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

XTL58

2.5 x 2.0 × 0.6

12 - 66MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL58

2.5 x 2.0 × 0.6

12 - 54MHz

±15ppm
±50ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

XTL57

3.2 x 2.5 × 0.8

8 - 54MHz

±15ppm
±30ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +105℃

XTL57

3.2 x 2.5 × 0.8

8 - 54MHz

±15ppm
±50ppm

-30 ~ +85℃
-40 ~ +125℃

步驟2-1。如果頻率計測得的頻率超出限值，我們應增加外部電容CL(或Cd & Cg的值)，以將頻率降低至我們的目標頻率，反之亦然。

第2-2步。如果頻率遠高于目標頻率，我們可以采用電容較低的晶體，反之亦然。

晶體參數的測試方法是什么？

將“pi電路”連接到具有測量等效常數功能的網絡分析儀，并進行測量。JIS和IEC規定了“pi電路”的形狀和內部電阻，如下所示。

如何描繪振蕩器電路的工作原理？

晶體控制振蕩器可被視為由一個放大器和一個反饋網絡組成，該反饋網絡選擇放大器輸出的一部分并將其返回到放大器輸入。這種電路的一般描述如下所示。

為了使振蕩器電路工作，必須滿足兩個條件:(A)環路功率增益必須等于1。(B)環路相移必須等于0、2π、4π等。弧度

什么是串聯或并聯諧振頻率？

從下圖可以明顯看出，壓電石英晶體單元有兩個零相位頻率。第一個，或兩者中較低的，是串聯諧振頻率，通常縮寫為Fs。零相位的兩個頻率中的第二個或更高的頻率是平行或反諧振頻率，通常縮寫為Fa。在振蕩器電路中，串聯和并聯諧振頻率都表現為電阻性。在串聯諧振點，電阻最小，電流最大。

在并聯點，電阻最大，電流最小。因此，并聯諧振頻率Fa不得用作振蕩器電路的控制頻率。

通過在振蕩器電路的反饋回路中包含電抗元件(通常是電容器),可以使石英晶體單元在串聯和并聯諧振點之間的線上的任意點振蕩。fs和fa頻率由壓電陶瓷材料及其物理參數決定。等效電路常數可由以下公式確定:

晶體的CL值是多少？它對什么有影響？

所有石英晶體諧振器都有一個串聯諧振頻率(fs，最低阻抗的頻率)。在此頻率下，晶體在電路中表現為阻性。通過增加與晶體串聯的電抗(電容),可以將晶體從這個串聯頻率中“拉出來”。當與外部負載電容(CL)一起工作時，晶體在略高于其串聯諧振頻率的頻率范圍內振蕩。這是并聯(負載諧振)頻率。

負載頻率取決于CL值，其公式如下所示。

如果輸出晶振頻率高于目標頻率，則應增加外部電容CL(或Cd & Cg的值)，以將頻率降至目標頻率。另一種方法是，如果頻率高于中心頻率，則采用電容較低的晶體。

晶體的頻率牽引能力不夠或牽引范圍不對稱。

(1)如下圖所示，電路的負載電容與牽拉性成反比。結果表明，負載電容越小，頻率牽引范圍越大，反之亦然。

(2)另一方面，無源晶體特性也影響頻率牽引范圍。例如，有配平靈敏度(TS)、一氧化碳和C1。負載電容增量變化的小數頻率變化稱為TS。當C1變大或Co變小時，頻率牽引能力變大。

(3)如果提拉范圍不對稱，即一邊提拉不夠，另一邊提拉太大，我們可以調整晶體的負載電容值。

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