STATEK晶振,高精度晶振,CX4VSM晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

Statek提供高精確度和高質(zhì)量的石英耐高溫晶振的醫(yī)療應(yīng)用.產(chǎn)品包裝尺寸小,功耗低,穩(wěn)定性好.我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應(yīng)商.我們的在許多醫(yī)學(xué)應(yīng)用中都有.包括醫(yī)療遙測(cè)裝置,起搏器,除顫器,神經(jīng)刺激器,輸液泵,葡萄糖監(jiān)測(cè)儀,助聽(tīng)設(shè)備等等,設(shè)計(jì)援助是可用的.

晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過(guò)彈簧即可引出電信號(hào).點(diǎn)膠時(shí)應(yīng)注意膠點(diǎn)的大小和位置.不宜過(guò)大或過(guò)小.

Statek晶振	單位	CX4VSM晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	30kHz~250kHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-10℃~+70℃ -40℃~+85℃ -55℃~+125℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±30ppm ±100ppm ±1000ppm	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.hedgehog.net.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	5.0pF 8.0pF 9.0pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

輻射

晶振產(chǎn)品暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致32.768K晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.

(2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝.

(3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來(lái)使用.

(4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料.

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英5.0*1.8晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、石英晶振,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

Statek晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過(guò)有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.

加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高全員環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器TCXO、恒溫晶體振蕩器OCXO,晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過(guò)程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.

Statek晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).

環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).