SiT5346是一款堅固耐用的Endura™ 精密Super-TCXO溫補晶體振蕩器，可在1至60MHz頻率范圍內(nèi)工作，并提供±100-ppb頻率穩(wěn)定性、0.004ppb/g加速度靈敏度（典型值），在高達105攝氏度。它專為惡劣環(huán)境而設計，可在存在環(huán)境壓力因素（氣流、溫度擾動、振動、沖擊和電磁干擾 (EMI)）的情況下提供最穩(wěn)定的時序。SiT5346符合MIL-PRF-55310和MIL-STD-883規(guī)范，是高可靠性航空航天和國防應用的理想解決方案。這種基于MEMS的Endura Super-TCXO可以在工廠編程為頻率、穩(wěn)定性、電壓和牽引范圍的任意組合。
Sitime 5346利用SiTime晶振獨特的DualMEMS溫度檢測和TurboCompensation技術，在氣流、溫度擾動、振動、沖擊和電磁干擾等環(huán)境壓力下提供最佳動態(tài)性能，實現(xiàn)時序穩(wěn)定性。該器件還集成多個片內(nèi)調(diào)節(jié)器來過濾電源噪聲，無需專用的外部LDO。
TCXO：SiT5346AC-FQ-33E0B19.123456T
VCTCXO：SiT5346AC-FQ-33VTB19.123456T
DCTCXO：SiT5346AC-FQG33JRB19.123456T
SiT1569是首款采用超小型1.5x0.8mm(1508)芯片級封裝(CSP)的ULP、工廠可編程晶振，也是SiTime超小型振蕩器新系列的一部分。該器件可以針對1Hz至462.5kHz范圍內(nèi)的任何頻率進行編程。硅MEMS技術使得在芯片級封裝中生產(chǎn)世界上最小的可編程參考時鐘成為可能。
SiTime晶振的TempFlat MEMS™ 技術與我們的混合信號CMOS設計能力相結合，可在1.2mm2 芯片級封裝中實現(xiàn)超低功耗、工廠可編程振蕩器——這是世界上最小的封裝。100kHz時的典型內(nèi)核電源電流僅為3.3μA。SiT1569能夠提供1Hz和462.5kHz之間的任何頻率，可保證±50ppm的全包（初始和整個溫度）頻率穩(wěn)定性。
半導體元件有望在產(chǎn)品的整個壽命期內(nèi)可靠運行.選擇可靠性等級最高的設備限制了故障組件在現(xiàn)場導致產(chǎn)品故障的可能性.SITIME晶振提供滿足這一目標的振蕩器,零微機電系統(tǒng)場故障超過2.5億個單位.零場故障令人印象深刻,但工程師希望確保零件已經(jīng)過充分的可靠性測試.衡量半導體元件可靠性的關鍵指標是平均故障間隔時間,即平均故障間隔時間.MTBF越高,器件的預期壽命越長,因此器件越可靠.本應用筆記描述了SiTime微機電系統(tǒng)振蕩器的測試過程和預測平均溫度系數(shù)的計算.
SITIME晶振微機電系統(tǒng)(MEMS)kHz振蕩器是極小的低功耗32kHz器件,針對移動和其他電池供電應用進行了優(yōu)化.硅MEMS技術實現(xiàn)了超小尺寸和芯片級封裝.這些器件可實現(xiàn)更大的元件布局靈活性,并消除了外部負載電容,從而節(jié)省了額外的元件數(shù)量和電路板空間.SiTime采用NanoDrive™技術,這是一種工廠可編程輸出,可降低電壓擺幅,從而最大限度地降低功耗.還提供TempFlatMEMS™技術,該技術可在1.2mmx1.2mm的封裝內(nèi)實現(xiàn)首個32kHz±3百萬分之一(ppm)超級TCXO.SiTime的MEMS振蕩器包括一個MEMS諧振器和一個可編程模擬電路.kHzMEMS諧振器采用SiTime獨特的MEMSFirst™工藝.關鍵制造步驟是EpiSeal™,在此期間MEMS諧振器的退火溫度超過+1000°C.EpiSeal創(chuàng)造了一個極其牢固,干凈的真空室來封裝MEMS諧振器,可確保最佳的性能和可靠性
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