晶振此款電子元器件幾乎是電子產品都能看到它的身影,無處不在, 同時作為電子產品的必需品,各電子行業的設計工程師在選用和設計電路板時,應該注意到每一個功能,以及每個產品的參數,不同的參數發揮著不同的性能,因此在選用晶振時要選擇符合的參數.或許有些人對于相關的參數術語會有不太了解的,康比電子下面簡述一下石英晶振的一些專業術語.
活動:與晶體單元的電阻相關的術語.據說具有低電阻的晶體單元具有良好的活性,而具有高電阻的晶體單元被認為具有不良活性.
活動傾向:用于描述突然增加,然后返回到晶體單元活動的先前水平的術語.有關此主題的技術說明,請參閱更完整的說明.
老化:隨著時間的推移,石英晶振單元的頻率和/或電阻的變化.
角度:從石英石相對于原始晶軸切割諧振器板的角度.切割角度對于晶體單元的性能至關重要,特別是在溫度范圍內的頻率偏差區域.
AT切割:專門定向的諧振器板的商業名稱,具有理想的和可重復的操作特性."AT切割"是目前制造的最受歡迎的厚度剪切晶體單元.
ATStrip:一種矩形條狀的AT切割晶體.它具有比圓形AT切割晶體更高的ESR,但尺寸更小,因此允許更小的晶體封裝.
軸:石英石中的方向.多個"軸"是"軸".
底座:水晶支架的下部.基座包括諧振器安裝結構和引線或引腳,以將器件連接到外部電路.另見"持有人".
斜面:對諧振器板的一個或兩個主面的修改,其中面被改變為具有部分球形結構.另請參閱"輪廓".
空白:石英諧振器板.也稱為"晶圓","板"或"石英晶體諧振器".
BTcut:專門定向的諧振器板的商業名稱,具有眾所周知且可重復的特性."BTcut"不如"AT"受歡迎.
C0:"分流電容"的縮寫.
C1:"MotionalCapacitance"的縮寫.運動電容通常也縮寫為"Cm".
電容:由電介質隔開的兩個導體表現出的特性,其中電荷存儲在導體之間.電容以"法拉"測量,并由字母"C"標識.
電容器:無源晶振電子電路元件,由最簡單的形式組成,由電介質隔開的兩個金屬電極.
可以:看"封面"
CI:"晶體阻抗"的縮寫,有時用來代替"電阻"一詞.
CIM:"晶體阻抗計"的縮寫.請參閱"測試集"
冷焊:冷卻焊接的過程,其中基底和罐是不同的金屬,它們被壓在一起形成一種金屬.
輪廓:對諧振器板的一個或兩個主面進行修改,其中面被改變為具有完全球形的配置.另見"斜面".
耦合模式:一種不需要的模式,它以與所需模式相同的頻率通電,從而從所需模式中消耗能量.
封面:晶體支架的上部,也稱為"罐頭".另見"持有人"
晶體:用于代替更完整表達"壓電石英晶體單"的通用術語.
周期:完整重復一次事件.
偏差:數量與其名義價值的差異.就我們的目的而言,頻率與標稱頻率或指定頻率不同的數量.
露點:氣體中可凝結成分開始凝結成液體的溫度.
驅動電平:振蕩晶體單元消耗的功率.通常用mW表示.
等效電路:下面所示的等效電路描述了以其固有諧振頻率工作的石英晶體單元的電活動.CO或并聯電容表示晶體電極的電容加上支架和引線的電容.R1,C1和L1構成晶振的"運動臂",并且被稱為運動參數.運動電感(L1)表示晶體單元的振動質量.運動電容(C1)代表石英的彈性,電阻(R1)代表石英內發生的體積損失.
ESR:"等效串聯電阻"的縮寫.由于晶體單元具有電阻元件,因此需要該術語來定義和量化該特性.
蝕刻:用于制造某些類型晶體單元的工藝.蝕刻過程導致改善的表面狀況和坯料頻率的增加."蝕刻"一詞也用于描述蝕刻過程中使用的材料,以及過程本身.
頻率:在一個單位時間內定期重復事件.在電路中,一秒鐘內通過給定點的波數.諧振器板在一秒鐘內振蕩或振動的次數.客戶指定的標稱或期望頻率.
頻率穩定性:在指定溫度范圍內的允許偏差,以百萬分率(PPM)表示.偏差參考+25°C時的測量頻率.
頻率容差:在特定溫度下,通常為+25°C時,與標稱值的允許偏差,單位為百萬分之一(PPM).
基本原理:諧振器板振蕩的最低頻率.該頻率由板的物理尺寸決定.
幾何形狀:貼片晶振單元中使用的諧振器板的形狀.有三種幾何形狀可供選擇:平面,輪廓和斜面.
亨利:電感的基本單位,用字母"H"表示.通過以每秒一安培的速率均勻變化的電流在閉合電路中產生一個亨利的電感.
赫茲:頻率測量的基本單位,"赫茲"取代了"每秒周期"一詞.用于表示一秒鐘內完成一次事件.
Hz:單詞"Hertz"的縮寫.
支架:石英諧振器板的完整外殼.支架包括底座和蓋子.
阻抗:電路或設備對交流電流的總反對.阻抗以"歐姆"為單位測量,用字母"Z"表示.
電感:在器件,導體或電路中,與施加電壓時的電流相反的慣性特性.電感用字母"L"表示,用"亨利"測量.
電感器:用于將電感引入電路的電子元件.
絕緣體:幾種不易通電的材料中的任何一種.
ISO:"國際標準化組織"的縮寫.
Kilo:前綴,縮寫為"k",用于表示數千個單位.一個"基洛"是一千.在我們的工業中,一千赫茲的頻率是一千赫茲(每秒周期)的頻率.
kHz:"kiloHertz"的縮寫,用于以千赫茲(每秒周期數)的形式描述晶體或振蕩器的頻率.指定為"10.0kHz"的頻率將被理解為10,000赫茲(每秒周期)的頻率.指定為"10,000kHz"的頻率將被理解為10,000,000赫茲(每秒周期)的頻率.
負載電容:與晶振單元一起使用的電容值.負載電容是客戶指定的參數,通常以pF(picoFarads)表示.
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