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西鐵城晶振,石英晶振,CFS-206晶振,CFV-206晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：2.0*6.0mm

產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm，±10ppm，±5ppm，也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差，或者-偏差，產(chǎn)品使用溫度高溫可達(dá)到+70°低溫可達(dá)到-40°產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到比較高端的汽車電子產(chǎn)品，民用產(chǎn)品有家用電器，智能筆記本，MP3，MP4多功能播放器，智能手表等產(chǎn)品。

訂購(gòu)熱線：0755-27876201

西鐵城晶振公司為工業(yè)市場(chǎng)提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個(gè)良好的信譽(yù)在市場(chǎng)上特別是對(duì)我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來(lái)改善我們的技術(shù)和發(fā)展提供有價(jià)值的服務(wù)我們的客戶,即使這是一個(gè)利基市場(chǎng).

西鐵城晶振,石英晶振,CFS-206晶振,CFV-206晶振,32.768K音叉型石英晶體諧振器產(chǎn)品具有以下幾種規(guī)格，∅3*8，∅2*6，我公司所有材料均是來(lái)自日本進(jìn)口，封裝測(cè)試設(shè)備采用日本精工儀器設(shè)備，并且從日本聘請(qǐng)高級(jí)技術(shù)工程師，所生產(chǎn)的32.768K晶體具有一致性良好.

振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

西鐵城晶振規(guī)格	單位	CFS-206晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.hedgehog.net.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

西鐵城晶振規(guī)格	單位	CFV-206晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.hedgehog.net.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí)，以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳，如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳，會(huì)引起玻璃的破裂，而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降，有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損。(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí)，要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳，且從上下方壓住彎曲的部位，再進(jìn)行修改。

彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí)，導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位。如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲，有可能導(dǎo)致玻璃的破碎。(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí)，務(wù)必請(qǐng)留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分。如果直接在外殼部位焊接，會(huì)導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損。應(yīng)注意將晶振平放時(shí)，不要使之與導(dǎo)腳相碰撞，請(qǐng)放長(zhǎng)從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長(zhǎng)度，并使之大于外殼的直徑長(zhǎng)度.CITIZEN晶振環(huán)保方針：

西鐵城晶振，作為全球企業(yè)可持續(xù)的社會(huì)的實(shí)現(xiàn)，集團(tuán)一體推進(jìn)地球環(huán)境保全活動(dòng)。推進(jìn)了環(huán)境考慮的產(chǎn)品和服務(wù)的產(chǎn)品和服務(wù)。為了提供社會(huì)，努力維護(hù)地球環(huán)境。遵守環(huán)境相關(guān)的法令、條例、限制、協(xié)定及其他要求事項(xiàng)，環(huán)境負(fù)荷的降低和污染的防止努力。進(jìn)行協(xié)同集團(tuán)全球環(huán)境保全措施作為全球業(yè)務(wù)支持一個(gè)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)發(fā)展.

西鐵城晶振工廠、辦公室節(jié)能、省資源、資源循環(huán)、化學(xué)物質(zhì)的合理管理推動(dòng)，地球溫暖化防止及循環(huán)型社會(huì)的實(shí)現(xiàn)貢獻(xiàn)。與采購(gòu)單位、供應(yīng)商等的客戶合作，溫室效應(yīng)氣體削減，資源的有效利用，努力對(duì)晶振,石英晶振的化學(xué)物質(zhì)的管理強(qiáng)化等。西鐵城晶振,石英晶振,CFS-206晶振,CFV-206晶振.

CFS-206晶振 CFV-20晶振 2*6mm圓柱晶體

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: HC49-4H/351DF-16.384MHz,高利奇晶體,進(jìn)口插件晶振,49S石英晶振,HC49-4H晶體; HC49-4H/351DF-16.384MHz,高利奇晶體,進(jìn)口插件晶振,49S石英晶振,HC49-4H晶體 HC49-4H 引線晶體采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸，頻率范圍為 3.5 ~ 90.0MHz，基波模式最高可達(dá) 50.0MHz。該晶體還具有廣泛的頻率容差和溫度穩(wěn)定性選項(xiàng)。HC49-4H/351DF-16.384MHz 是高利奇的進(jìn)口49S石英插件晶振.它能為電子設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn),具備良好的頻率穩(wěn)定性和抗干擾能力,可適應(yīng)不同的工作環(huán)境,插件式設(shè)計(jì)便于安裝,廣泛應(yīng)用于通信,工業(yè)控制,消費(fèi)電子等領(lǐng)域,有助于提升設(shè)備的性能和可靠性.

: 日本大真空晶振,DT-38音叉晶體,1TC250E65,3*8晶振,32.768KHZ; 日本大真空晶振,DT-38音叉晶體,1TC250E65,3*8晶振,32.768KHZ，日本大真空晶振的1TC250E65晶振的頻率是32.768KHZ，為3*8mm的DT-38音叉晶體，低功耗。該3*8晶振不僅僅適用于手表，還適用于從工業(yè)設(shè)備到消費(fèi)和家用電子產(chǎn)品中的時(shí)鐘功能的廣泛運(yùn)用，可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性，主要給芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)，適用于時(shí)鐘產(chǎn)品等領(lǐng)域。符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)，滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求，金屬外殼的石英晶體，使得該晶振在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能。