頻率:12.0MHz~50.0MHz
尺寸:3.2*2.5*0.7mm
貼片晶振本身體積小,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.
制造商 | 富士通 | 產(chǎn)地 | 日本 | 產(chǎn)品型號 | FSX-3M |
頻率 |
12.0MHz~50.0MHz |
負(fù)載 |
10pF~20pF |
溫度范圍 | -10℃~+70℃ |
頻率偏差 |
±10~±50ppm |
封裝 |
金屬面貼片 | 尺寸 | 3.2*2.5*0.7mm |
富士通晶振規(guī)格 |
單位 |
FSX-3M晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.0MHz~50.0MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-20°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10~±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10~±50×10-6/-10°C~+70°C
|
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
10pF~20pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸貼片晶振的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致無源晶振的振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)
富士通晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預(yù)防污染.
在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平.
富士通晶振通過與地區(qū)的交流及社會貢獻(xiàn)活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn).
將環(huán)保活動的信息向公司內(nèi)外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會的發(fā)展做出貢獻(xiàn).
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時,也向公司外部公開.
富士通晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.
富士通晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
精工愛普生晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
富士通晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和石英晶振的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.
富士通晶振公司的目標(biāo)是保證產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).
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