頻率：13.0～40.0MHz
尺寸：4.0*2.5*0.8mm
富士通石英晶振,貼片晶振,FSX-4M晶振,音叉表晶
| 制造商 | 富士通 | 產地 | 日本 | 產品型號 | FSX-4M |
| 頻率 |
13.0～40.0MHz |
負載 |
18pF |
溫度范圍 |
-10°C～+70°C |
| 頻率偏差 |
±10～±50ppm |
封裝 |
金屬面貼片 | 尺寸 | 4.0*2.5*0.8mm |
|
富士通晶振規(guī)格 |
單位 |
FSX-4M晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
13.0～40.0MHz |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-20°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+70°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10～±50× 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
18pF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射.
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的晶振的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
進口晶振的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致有源晶體無法產生振蕩和/或非正常工作.
富士通晶振盡可能的采用無害的原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.
根據需要,提高環(huán)境技術、材料和石英晶振的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.
富士通晶振公司的目標是保證產品繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進.
富士通晶振通過追求以QMEMS技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環(huán)保活動,把降低環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關聯(lián)產品；并且構筑和革新既可以降低環(huán)境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動.
富士通晶振不僅遵守與環(huán)保相關的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據需要自主性的制定基準,通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預防污染.
在設定環(huán)保目的與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平.
富士通晶振通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻.
將環(huán)保活動的信息向公司內外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關人員建立信賴關系,為社會的發(fā)展做出貢獻.
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