頻率:10~30mhz
尺寸:8.9*3.2*8.0mm
NDK晶振集團所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機市場的擴大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構(gòu)成的變化,使得TCXO(溫度補償晶體振蕩器)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加。由此,本集團將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場的產(chǎn)品的再強化上,把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長戰(zhàn)略。并且展開在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域,利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實力強的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計劃。通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續(xù)的成長和安定的收益,來努力達成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標。
插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NR2B晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
額定頻率 |
f_nom |
10~30MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標準溫度 |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.hedgehog.net.cn |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±5°C× 10-6 |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
等效串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
Max. 50 |
Max. 50 |
頻率老化 |
f_age |
Max. ±10×10-6/year *1 |
+25°C,第一年 |
1:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。
2:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
3:外加電壓
如果過大的激勵電力對無源晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊,規(guī)格書中規(guī)定的范圍使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值,本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上。若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上。
4:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
5:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。NDK晶振,NR-2B晶振,耐撞擊性晶振。
NDK晶振環(huán)保方針:
日本電波工業(yè)株式NDK晶振已經(jīng)建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標,以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少(抑制)CO2排放量,通過使用最先進的技術(shù),實現(xiàn)最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要。
NDK晶振的新概念的溫補晶體振蕩器,石英晶體振蕩器器件。通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱。制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下,發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。NDK晶振,NR-2B晶振,耐撞擊性晶振。
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