手機(jī)站
在線留言 收藏本站 網(wǎng)站地圖 會(huì)員登錄 會(huì)員注冊(cè)
頻率:0.625 ~ 80mhz
尺寸:3.2 x 2.5 x 0.9mm
希華晶振,OSC81晶振,車載振蕩器
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..
希華晶振導(dǎo)入先進(jìn)微機(jī)電制程創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)
敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴(kuò)大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。
藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)與制程資源整合,不斷開發(fā)創(chuàng)新及制程改造,以全系列完整產(chǎn)品線,來滿足客戶對(duì)石英元件多樣化的需求。積極地透過產(chǎn)學(xué)合作與配合國外技術(shù)引進(jìn)開發(fā)新產(chǎn)品,多角化經(jīng)營、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域,此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營的方針。
希華晶振,OSC81晶振,陶瓷車載振蕩器,小體積有源晶體振蕩器,在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間,在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良,封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型,超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..
項(xiàng)目
符號(hào)
OSC81晶振規(guī)格說明
條件
輸出頻率范圍
f0
0.625 ~ 80mhz
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓
VCC
+3.3V DC ±5% +2.5V DC ±5% +1.8V DC ±5%
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度
T_stg
-55℃ to +100℃
裸存
工作溫度
T_use
G: -20℃ to +70℃
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.hedgehog.net.cn
H: -40℃ to +85℃
頻率穩(wěn)定度
f_tol
J: ±30× 10-6
L: ±50× 10-6
T: ±100× 10-6
功耗
ICC
3.5 mA Max.
無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流
I_std
3.3μA Max.
ST=GND
占空比
SYM
45 % to 55 %
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓
VOH
VCC-0.4V Min.
VOL
0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件
L_CMOS
15pF
輸入電壓
VIH
90% VCC Max.
ST 終端
VIL
10 % VCC Max.
上升/下降時(shí)間
tr / tf
4 ns Max.
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間
t_str
3 ms Max.
t=0 at 90 %
頻率老化
f_aging
±3 × 10-6 / year Max.
+25 ℃, 初年度,第一年
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。希華晶振,OSC81晶振,陶瓷車載振蕩器.
希華晶振環(huán)保方針:
希華晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù)。
希華晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ)。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施。
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。希華晶振,OSC81晶振,陶瓷車載振蕩器.
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
手機(jī):137 2874 2863
QQ:577541227
地址:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)6號(hào)庭威工業(yè)區(qū)